Компания Micron Technology вчера официально объявила о начале поставок образцов для первых этапов тестирования новых чипов памяти Universal Flash Storage (UFS) 4.0, созданных на основе 232-слойной 3D NAND-памяти. Пока что речь идёт о решении UFS 4.0 с объёмом до 1 терабайта, которое отправляется отдельным производителям смартфонов для тестирования в рамках определённых инженерных образцов. В будущем эта память, конечно же, будет представлена и меньшим объёмом памяти, когда решения будут готовы для запуска в коммерческих решениях. Но уже сейчас можно заявить, что новейшее мобильное флэш-хранилище от Micron превосходит конкурентов по ряду важных показателей NAND-памяти, обеспечивая самую быструю скорость обмена информацией в отрасли для флагманских смартфонов.
«Новейшее мобильное решение компании Micron объединяет передовую технологию UFS 4.0, эксклюзивный контроллер низкого энергопотребления, 232-слойную NAND-память и высоко настраиваемую архитектуру прошивки для достижения максимальной скорости передачи данных на современном рынке», — об этом заявили представители компании. Пока что точной информации о реальной скорости передачи данных нет, но, вероятно, вскоре производители смартфонов протестируют свои решения и тогда можно будет детально говорить о том, что умеет новый накопитель. Но, теоретически, это будущее мобильной индустрии, потому что новая память не только быстрее, но и гораздо более энергоэффективнее.
